NAND产品涨超10%!存储巨头再度调涨存储芯片报价 最快本月生效

  据韩媒报道,日前多位消息人士透露,三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低,公司计划今年四季度起,调涨NAND Flash产品的合约价格,涨幅在10%以上;预计最快本月新合约便将采用新价格。

  今年以来,三星一直奉行减产战略,1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域,之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量,眼下正试图推动NAND价格正常化。

  如今DRAM已出现价格反弹,而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模,降低供应量,再提高产品价格来寻求反转,其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。

  SK证券研究员Han Dong-hee认为,三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。

  值得一提的是,三星9月已与客户(包括小米、OPPO及谷歌)签署了内存芯片供应协议,DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20%。三星电子预计,从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。

  另外,原厂近期已通知下游厂商,Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同,但涨幅几乎都在双位数水平,其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成,DRAM则约涨一成。

  10月初,威刚董事长陈立白表示,存储芯片产业苦熬两年,黑暗将过,2024年下半年更可能出现短缺。他认为,由于三大存储芯片巨头积极减产,效益开始显现,NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。

  目前业内买卖双方正在洽谈合约价,陈立白估计,DRAM及NAND Flash第四季度合约价将上涨10%-15%,三星甚至计划调涨20%,仍待观察成交价。

  从行业供给端来看,中信证券预计,2023年行业供给增速将低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复,看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言,目前终端厂商已处于去库存的后期,全年出货有望呈现前低后高,看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。

  总体上,分析师预计下半年随着库存去化,需求逐步回归,行业细分龙头有望迎来业绩修复机会,看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇,建议关注:1)存储模组;2)存储芯片设计;3)存储配套芯片。






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